对比图
型号 IS42S32200E-6TLI IS42S32200E-7TL IS42S32200L-6TLI
描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II (400 Mil) RoHS, IT动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMSDRAM, 2M x 32bit, 5.4ns, 并行接口, TSOP-II-86
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 86 86 86
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
供电电流 160 mA 140 mA 100 mA
存取时间 5.5 ns - 5.4 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 3 V - 3 V
针脚数 - - 86
位数 - - 32
存取时间(Max) - - 8ns, 5.4ns
长度 22.22 mm 22.42 mm -
宽度 10.16 mm 10.29 mm -
高度 1 mm 1.05 mm -
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Design Active
包装方式 Tray Tube Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free 无铅 无铅
ECCN代码 - - EAR99