W631GU8MB12I TR和W631GU8KB12I TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GU8MB12I TR W631GU8KB12I TR

描述 IC SDRAM 1GBIT 800MHz 78BGA1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 800MHz I

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 VFBGA-78 TFBGA-78

封装 VFBGA-78 TFBGA-78

产品生命周期 Not For New Designs Obsolete

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

电源电压 - 1.283V ~ 1.45V

工作温度 - -40℃ ~ 95℃

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