对比图
型号 FQI7N60TU IRF830AL IRF830ALPBF
描述 FQI7N60: N 沟道 QFETMOSFET N-CH 500V 5A TO262-3MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
引脚数 3 - -
耗散功率 3.13 W 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V -
输入电容(Ciss) 1430pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3130 mW 3.1W (Ta), 74W (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
上升时间 80 ns - -
额定功率(Max) 3.13 W - -
下降时间 60 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 9.65 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Rail, Tube - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free