BSS83P和BSS83PL6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS83P BSS83PL6327 BSS83PH6327

描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能MOSFET P-CH 60V 330mA SOT-2360V,-0.33A,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 1 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

额定功率 - - 360 mW

耗散功率 - - 0.36 W

漏源极电压(Vds) - - 60 V

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 360 mW - -

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