70V658S12BCI和70V658S12BFGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V658S12BCI 70V658S12BFGI 70V658S12BF

描述 Dual-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256IC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGAIC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 208 208

封装 CABGA-256 LFBGA-208 LFBGA-208

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 12 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 3.45 V - -

电源电压(Min) 3.15 V - -

长度 17 mm 15.0 mm 15.0 mm

宽度 17 mm 15.0 mm 15.0 mm

封装 CABGA-256 LFBGA-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

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