对比图
型号 CY7C1315BV18-200BZC CY7C1315BV18-200BZXC CY7C1315BV18-200BZXI
描述 18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
电源电压(DC) - 1.80 V, 1.90 V (max) -
时钟频率 - 200MHz (max) -
位数 - 36 36
存取时间 - 200 µs -
内存容量 - 18000000 B -
存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
长度 - - 15 mm
宽度 - - 13 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅