SMBJ8.5CA-M3/52和SMBJ8.5CA-E3/52

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ8.5CA-M3/52 SMBJ8.5CA-E3/52 SMBJ8.5CA-E3/5B

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 8.5V 600W 2Pin SMB T/RTRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay SemiconductorDiode TVS Single Bi-Dir 8.5V 600W 2Pin SMB T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

引脚数 - 2 -

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 9.44 V 9.44 V 9.44 V

电路数 - 1 -

钳位电压 - 14.4 V -

测试电流 - 1 mA -

最大反向击穿电压 - 10.4 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 DO-214AA DO-214AA DO-214AA

长度 - 4.57 mm -

宽度 - 3.94 mm -

高度 - 2.24 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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