对比图
型号 IRFBC40 STP7NB60 IRFBC40PBF
描述 MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220ABN沟道600V - 1.0ヘ - 7.2A TO- 220 / TO- 220FP PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.0 ヘ - 7.2A TO-220/TO-220FP PowerMESH⑩ MOSFETTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - -
耗散功率 125W (Tc) 125 W 125000 mW
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1625pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 7.20 A -
极性 - N-CH -
连续漏极电流(Ids) - 7.20 A -
上升时间 - 8 ns 18 ns
下降时间 - 5 ns 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ 55 ℃
长度 10.41 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 15.49 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free