对比图
型号 IXFH26N55Q IXTT26N50P IXFV26N50P
描述 Trans MOSFET N-CH 550V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 230 mΩ 230 mΩ
耗散功率 375 W 400 W 400 W
阈值电压 - 5.5 V -
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
上升时间 18 ns 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 400 W -
下降时间 13 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 26.0 A
极性 - - N-Channel
输入电容 - - 3.60 nF
栅电荷 - - 60.0 nC
连续漏极电流(Ids) - - 26.0 A
长度 16.26 mm 14 mm 11 mm
宽度 5.3 mm 16.05 mm 4.7 mm
高度 21.46 mm 5.1 mm 15 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free