FF300R12KT3HOSA1和SKM300GB12V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FF300R12KT3HOSA1 SKM300GB12V

描述 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 480 A, 1.7 V, 1.45 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM300GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 420 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控)

分类 晶体管

基础参数对比

引脚数 7 7

封装 AG-62MM-1 Module

针脚数 - 7

极性 - Dual N-Channel

工作温度(Max) 125 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 1.45 kW -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V -

输入电容(Cies) 21nF @25V -

额定功率(Max) 1450 W -

耗散功率(Max) 1450000 mW -

封装 AG-62MM-1 Module

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -

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