AP60T03GH-HF和SQD50N03-09-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AP60T03GH-HF SQD50N03-09-GE3 UT60T03G-TN3-R

描述 Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin(2+Tab) DPAKN-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) Vishay Siliconix UTC (友顺)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-252 TO-252 TO-252

漏源极电阻 - 0.006 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 71 W -

阈值电压 - 2 V -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252 TO-252 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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