TL062BCDRE4和TL062IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL062BCDRE4 TL062IDT TL062BCDR

描述 低功耗JFET输入运算放大器 LOW-POWER JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  TL062IDT  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 3.5 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TL062BCDR  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 3.5V/uS, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 10.0 µV/K - 10.0 µV/K

带宽 1.00 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

工作电压 - 6.36 V -

供电电流 - 200 µA 200 µA

电路数 - 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 680 mW -

共模抑制比 - 86 dB 80 dB

输入补偿电压 - 3 mV 2 mV

输入偏置电流 - 30 pA 30 pA

增益带宽 - 1 MHz 1 MHz

耗散功率(Max) - 680 mW -

电源电压 - 6V ~ 36V 7V ~ 36V

电源电压(Max) - 36 V -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 - -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

ECCN代码 - EAR99 -

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