DS1245Y-120和DS1245Y-120IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245Y-120 DS1245Y-120IND DS1245Y-70+

描述 IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIPIC NVSRAM 1Mbit 120NS 32EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70+  芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 5 V

针脚数 - - 32

时钟频率 120 GHz 120 GHz 70.0 GHz

存取时间 120 ns 120 ns 70 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

负载电容 5.00 pF - -

长度 - 43.69 mm 44.19 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 10.92 mm

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR

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