对比图
型号 AP2N7002K-HF BSH111 BSH111,215
描述 MOSFET N CH,SINGLE,0.45,IN-HOUSE/EMS,2,60BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Advanced Power Electronics (富鼎先进电子) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-236 SOT-23-3
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 2.4 Ω
耗散功率 - 830 mW 830 mW
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - - 55 V
输入电容(Ciss) - - 40pF @10V(Vds)
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 65 ℃
耗散功率(Max) - 302mW (Ta) 830mW (Tc)
极性 - N-Channel -
连续漏极电流(Ids) - 335 mA -
长度 - - 3 mm
宽度 - - 1.4 mm
高度 - - 1 mm
封装 - TO-236 SOT-23-3
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free