对比图
型号 IPP120N04S302AKSA1 STP120NF04 STP100NF04
描述 N沟道 40V 120AN沟道40V - 0.0047ohm - 120A TO- 220的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 40V - 0.0047ohm - 120A TO-220 STripFET II MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 120A 50.0 A 120 A
上升时间 19 ns 220 ns 220 ns
输入电容(Ciss) 14300pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
下降时间 18 ns 50 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300000 mW
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
额定电流 - 120 A 120 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.0047 Ω 0.0046 Ω
阈值电压 - 4.5 V 4 V
漏源击穿电压 - 40.0 V 40 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
额定功率(Max) - - 300 W
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99