IXFH60N25Q和IXTK62N25

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH60N25Q IXTK62N25 IXTQ64N25P

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 250V 62A 3Pin(3+Tab) TO-264TO-3P N-CH 250V 64A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-3-3

引脚数 3 - -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 35 mΩ -

耗散功率 360W (Tc) 390 W 400W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 - 250 V -

上升时间 60 ns 25 ns 23.0 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)

下降时间 25 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 390W (Tc) 400W (Tc)

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 64.0 A

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 64.0 A

长度 - 19.96 mm -

宽度 - 5.13 mm -

高度 - 26.16 mm -

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Last Time Buy Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube, Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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