FQD5P20和FQD5P20TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5P20 FQD5P20TM IRFR9220

描述 200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD5P20TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 VTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3Pin (2+Tab) TO-252

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) - -200 V -

额定电流 - -3.70 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.1 Ω -

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 - 45 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.7A 3.00 A -

上升时间 - 70 ns -

输入电容(Ciss) - 430pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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