对比图
型号 APT28F60B STW21NM60ND IXTH26N60P
描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETSTMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VN沟道 600V 26A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 28.0 A - 26.0 A
耗散功率 520 W 140 W 460 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 28.0 A - 26.0 A
输入电容(Ciss) 5575pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 4150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 140 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 140W (Tc) 460W (Tc)
极性 - N-Channel N-CH
输入电容 - - 4.15 nF
栅电荷 - - 72.0 nC
上升时间 - 16 ns 27 ns
下降时间 - 48 ns 21 ns
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.17 Ω -
阈值电压 - 4 V -
高度 21.46 mm 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -