6MBI50L-060和BSM50GD60DLC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6MBI50L-060 BSM50GD60DLC MWI75-06A7

描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 250000mW 19Pin Case M-616Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 17Pin EconoPACK 2ATrans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 18Pin E2

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Screw Screw

封装 - EconoPACK 2A E2

引脚数 - - 18

宽度 - 45 mm -

封装 - EconoPACK 2A E2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

耗散功率 - - 280000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

输入电容(Cies) - - 3.2nF @25V

额定功率(Max) - - 280 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 280000 mW

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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