对比图
型号 6MBI50L-060 BSM50GD60DLC MWI75-06A7
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 250000mW 19Pin Case M-616Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 17Pin EconoPACK 2ATrans IGBT Module N-CH 600V 90A 280000mW 18Pin E2
数据手册 ---
制造商 FUJI (富士电机) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Screw Screw
封装 - EconoPACK 2A E2
引脚数 - - 18
宽度 - 45 mm -
封装 - EconoPACK 2A E2
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
耗散功率 - - 280000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V
输入电容(Cies) - - 3.2nF @25V
额定功率(Max) - - 280 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 280000 mW
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99