对比图
型号 SI4435DYPBF SI4435DYTRPBF IRF7416PBF
描述 INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 VINFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新INFINEON IRF7416PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 20 mohm, 10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -8.00 A -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.015 Ω 0.035 Ω 0.02 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 - SI4435DY -
输入电容 - 2320 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8A -8.00 A 10A
上升时间 76 ns 76 ns 49 ns
输入电容(Ciss) 2320pF @15V(Vds) 2320pF @15V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 90 ns 90 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - - 2.5 W
阈值电压 - - 1 V
长度 5 mm 5 mm 5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.55 mm - 1.5 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -