对比图
型号 IR2101STRPBF LM5100BMA IR2101SPBF
描述 INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-83A ， 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate DriversINTERNATIONAL RECTIFIER IR2101SPBF 芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) International Rectifier (国际整流器)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 10.0V (min) - 10.0V (min)
工作电压 10V ~ 20V - 10V ~ 20V
输出接口数 2 2 2
输出电压 10V ~ 20V 118 V ≥10.0 V
针脚数 8 - 8
耗散功率 0.625 W - 625 mW
产品系列 - - IR2101
上升时间 170 ns 570 ns 170ns (Max)
下降时间 90 ns 430 ns 90ns (Max)
下降时间(Max) 90 ns - 90 ns
上升时间(Max) 170 ns - 170 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 9V ~ 14V 10V ~ 20V
电源电压(Max) 20 V 14 V 20 V
电源电压(Min) 10 V 9 V 10 V
上升/下降时间 100ns, 50ns 570ns, 430ns -
输出电流 210 mA 2 A -
静态电流 270 µA 200 µA -
通道数 2 - -
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.45 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -