REF5020IDR和REF5020IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 REF5020IDR REF5020IDRG4 REF191ESZ-REEL

描述 低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE精密微功耗,低压差电压基准 Precision Micropower, Low Dropout Voltage References

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.05 % ±0.05 % ±0.1 %

输入电压(DC) 2.70V ~ 18.0V 2.70V ~ 18.0V 15.0V (max)

输出电压 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流 10 mA 10 mA 30 mA

供电电流 1.2 mA 1.2 mA 45 µA

通道数 1 - 1

静态电流 800 µA 800 µA -

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电压(Max) 2.048 V - -

输出电压(Min) 2.048 V 2.048 V 2.048 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 30 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

精度 0.05 % - ±2 mV

输入电压 2.7V ~ 18V 2.7V ~ 18V 3V ~ 15V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 - 3.91 mm 4 mm

长度 - 4.9 mm -

高度 - 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±5 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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