对比图
型号 IPB037N06N3GATMA1 IPD034N06N3G IPB034N06L3GATMA1
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB037N06N3GATMA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀INFINEON IPB034N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-2 TO-263-3
额定功率 188 W - 167 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.003 Ω - 0.0027 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 188 W - 167 W
阈值电压 3 V - 1.7 V
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 90A - 90A
上升时间 70 ns - 78 ns
输入电容(Ciss) 8000pF @30V(Vds) 8000pF @30V(Vds) 10000pF @30V(Vds)
下降时间 5 ns - 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 188000 mW 167 W 167 W
通道数 1 - -
漏源击穿电压 60 V - -
长度 10 mm 6.73 mm 10.31 mm
宽度 9.25 mm 6.223 mm 9.45 mm
高度 4.4 mm 2.413 mm 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-252-2 TO-263-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Reel, Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17