BZX55B12-TR和BZX55F12-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55B12-TR BZX55F12-TR TCBZX79B12

描述 500mW,BZX55B 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-BZX55B12Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETICALLY SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

引脚数 2 - -

容差 ±2 % ±1 % -

正向电压 1.5V @200mA 1.5V @200mA -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 12 V 12 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 0.5 W - -

长度 3.9 mm 3.9 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1.7 mm 1.7 mm -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ 175 ℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

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