对比图
型号 V20200C-E3/4W VI20200C-E3/4W SDB20200DI
描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 A双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.60 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 5 AHIGH VOLTAGE SCHOTTKY RECTIFIER
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Kodenshi
分类 二极管阵列二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-220-3 TO-262-3 -
正向电压 1.6V @10A 1.6V @10A -
封装 TO-220-3 TO-262-3 -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -