对比图
型号 FDC6506P ZXM62P03E6TC
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6506P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 170 mohm, -10 V, -1.8 V30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6
针脚数 6 -
漏源极电阻 170 mΩ 230 mΩ
耗散功率 960 mW 625 mW
阈值电压 - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 8 ns 6.4 ns
输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW -
下降时间 2 ns 6.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 0.96 W 625mW (Ta)
通道数 2 1
极性 P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel P-Channel
漏源击穿电压 30 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.80 A 1.50 A
额定电压(DC) -30.0 V -
额定电流 -1.80 A -
额定功率 0.96 W -
输入电容 190 pF -
栅电荷 2.30 nC -
长度 3 mm 3.1 mm
宽度 1.7 mm 1.8 mm
高度 1 mm 1.3 mm
封装 TSOT-23-6 SOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -