DS1270W-150和DS1270W-150#

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270W-150 DS1270W-150# DS1270W-100#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 150NS 36EDIPIc Nvsram 16Mbit 150ns 36dip - Ds1270w-150Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDIP36, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-36

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 36 - -

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 150 GHz - -

存取时间 150 ns - 100 ns

内存容量 16000000 B - -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 无铅

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