SI7788DP-T1-GE3和SI7856ADP-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7788DP-T1-GE3 SI7856ADP-T1-E3 SIS434DN-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET 30V 25A 5.4W 3.7mohm @ 10VSingle N-Channel 40V 0.0076Ω 52W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SO-8 SO-8 PowerPAK-1212-8

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 5.2W (Ta), 69W (Tc) 1.9W (Ta) 52 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A - 35.0 A

上升时间 - - 15 ns

输入电容(Ciss) 5370pF @15V(Vds) - 1530pF @20V(Vds)

下降时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 5.2W (Ta), 69W (Tc) 1.9W (Ta) 3.8W (Ta), 52W (Tc)

长度 - - 3.3 mm

宽度 - - 3.3 mm

高度 - - 1.04 mm

封装 SO-8 SO-8 PowerPAK-1212-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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