对比图
型号 BC856BT BC857BT-7
描述 PNP General Purpose Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
数据手册 --
制造商 Galaxy Semi-Conductor Diodes (美台)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
封装 - SOT-523-3
引脚数 - -
额定电压(DC) - -50.0 V
额定电流 - -100 mA
极性 - PNP
耗散功率 - 150 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 45 V
集电极最大允许电流 - 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 150 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - -
长度 - 1.6 mm
宽度 - 0.8 mm
高度 - 0.75 mm
封装 - SOT-523-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC