JAN2N5115和JANTX2N5116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5115 JANTX2N5116 J270

描述 JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSSmall Signal Field-Effect Transistor, 1Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18P沟道开关 P-Channel Switch

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Solitron Devices Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-206 TO-206 TO-226-3

安装方式 - - Through Hole

封装 TO-206 TO-206 TO-226-3

高度 - - 5.33 mm

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - -15.0 A

击穿电压 - - -30.0 V

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 350 mW

漏源极电压(Vds) - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 8.50 mA

击穿电压 - - 30 V

额定功率(Max) - - 350 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 350 mW

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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