70V658S12BFGI8和70V658S12BFI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V658S12BFGI8 70V658S12BFI8 70V658S12BCI

描述 IC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGAIC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGADual-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 256

封装 LFBGA-208 LFBGA-208 CABGA-256

安装方式 - - Surface Mount

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 15.0 mm 15.0 mm 17 mm

宽度 15.0 mm 15.0 mm 17 mm

封装 LFBGA-208 LFBGA-208 CABGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 - - 1.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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