IXTQ102N20T和IXTQ96N20P

对比图

型号 IXTQ102N20T IXTQ96N20P IXFV96N20P

描述 TO-3P N-CH 200V 102AN沟道 200V 96ATrans MOSFET N-CH 200V 96A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

耗散功率 750W (Tc) 600 W 600W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 - 30 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 600 W -

下降时间 - 30 ns 30 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 102A - -

封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Active Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free