对比图
型号 IRFS730B STW20NK50Z STD35NF06LT4
描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 500 V 60.0 V
额定电流 - 17.0 A 35.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 830 mΩ 0.23 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 38 W 190 W 80 W
阈值电压 - 3.75 V 1 V
输入电容 - 2600 pF 1700 pF
漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 60 V
漏源击穿电压 - 500 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 17.0 A 17.5 A
上升时间 55 ns 20 ns 100 ns
输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 190 W 80 W
下降时间 50 ns 15 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 190W (Tc) 80W (Tc)
额定功率 - 190 W -
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 15.75 mm 6.6 mm
宽度 4.7 mm 5.15 mm 6.2 mm
高度 16.3 mm 20.15 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-252-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99