IRL3303PBF和STP62NS04Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL3303PBF STP62NS04Z STP27N3LH5

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 38A 3Pin(3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP62NS04Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 33 V, 12.5 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 34.0 A 62.0 A -

额定功率 56 W - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 68 W 110 W 45 W

产品系列 IRL3303 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 33 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 40.0 V -

连续漏极电流(Ids) 38.0 A 62.0 A -

上升时间 200 ns 104 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 1330pF @25V(Vds) 475pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 68 W 110 W 45 W

通道数 - - 1

下降时间 - 42 ns 2.8 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 45W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0125 Ω -

阈值电压 - 4 V -

栅源击穿电压 - 18.0 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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