IRS21281SPBF和IRS2128STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS21281SPBF IRS2128STRPBF IRS21271STRPBF

描述 INFINEON  IRS21281SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8MOSFET DRVR 600V 0.6A 1Out Hi Side Inv 8Pin SOIC T/RMOSFET驱动器, 高压侧, 10 V至20 V电源, 600 mA输出, 150 ns延迟, NSOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 290 mA 200 mA 200 mA

针脚数 8 - 8

耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW

上升时间 80 ns 130 ns 130 ns

下降时间 40 ns 65 ns 65 ns

下降时间(Max) 65 ns - 65 ns

上升时间(Max) 130 ns - 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

电源电压 9V ~ 20V 12V ~ 20V 9V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

输出电压 9V ~ 20V - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

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