对比图
型号 BSM100GAL120DN2 FD150R12RT4 BSM100GAL120DLCK
描述 IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)INFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kVIGBT模块 IGBT-modules
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Screw -
引脚数 - 5 7
封装 - - 34MM
额定功率 - 790 W -
针脚数 - 5 -
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 790 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -
输入电容(Cies) - 9.3nF @25V -
额定功率(Max) - 790 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
封装 - - 34MM
宽度 - - 34 mm
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -