JAN2N3498和JANS2N3498

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3498 JANS2N3498 2N3498L

描述 NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTORNPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-205 TO-39 TO-5

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - -

额定功率(Max) 1 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

封装 TO-205 TO-39 TO-5

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台