对比图
型号 FDY302NZ NTE4153NT1G FDY300NZ
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-523-3 SC-89-3 SOT-523
额定电压(DC) - 20.0 V -
额定电流 - 915 mA -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.127 Ω 0.24 Ω
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 0.625 W 300 mW 0.625 W
阈值电压 1 V 760 mV 1 V
输入电容 - 110pF @16V -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 - 26 V -
栅源击穿电压 - ±6.00 V -
连续漏极电流(Ids) 0.6A 915 mA -
上升时间 8 ns 4.4 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 60pF @10V(Vds) 110pF @16V(Vds) 60pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 446 mW 300 mW 446 mW
下降时间 2.4 ns 7.6 ns 2.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625mW (Ta) 300 mW 625 mW
长度 1.7 mm 1.7 mm 1.7 mm
宽度 0.98 mm 0.95 mm 0.98 mm
高度 0.78 mm 0.8 mm 0.78 mm
封装 SOT-523-3 SC-89-3 SOT-523
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -