JAN1N4105-1和JANTXV1N4105C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4105-1 JANTXV1N4105C 1N4105

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES低反向漏电流和低噪音等特点 LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 2 - 2

耗散功率 480 mW 500 mW 400 mW

稳压值 11 V 11 V 11 V

测试电流 0.25 mA - 0.25 mA

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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