对比图
型号 CT60AM-20 GT60M301
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-3PL, 3 PINTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PL
数据手册 --
制造商 Mitsubishi (三菱) Toshiba (东芝)
分类 IGBT晶体管
封装 TO-3 TO-3
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-3 TO-3
高度 - 26 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete
耗散功率 - 200000 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 200000 mW
RoHS标准 - Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free