IS42S32200E-6BI和IS42S32200L-6BI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32200E-6BI IS42S32200L-6BI

描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA (8mmx13mm), ITSynchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, MO-207, TFBGA-90

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

位数 32 32

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 - 5.4 ns

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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