J309和J309-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J309 J309-E3 J309-AMMO

描述 IC SWITCH RF N-CH 25V 10mA TO-92JFET 25V 12mATRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, FET RF Small Signal

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-92 -

频率 450 MHz - -

额定电压(DC) 25.0 V - -

额定电流 30 mA - -

击穿电压 -25.0 V - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 625 mW - -

漏源极电压(Vds) 30.0 V - -

漏源击穿电压 25 V - -

栅源击穿电压 25 V 25 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - -

增益 12 dB - -

测试电流 10 mA - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

额定电压 25 V - -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

封装 TO-226-3 TO-92 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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