对比图
型号 APT44GA60BD30 IXGH30N60C2D1 IXGT30N60C2D1
描述 高速PT IGBT High Speed PT IGBTTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin(2+Tab) TO-268
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
耗散功率 337000 mW - -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 337 W 190 W 190 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 337000 mW 190000 mW -
反向恢复时间 - 25 ns 25 ns
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3
长度 - - 16.05 mm
宽度 - - 14 mm
高度 - - 5.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free