对比图
型号 APT26F120B2 APT26F120L IXFX26N120P
描述 N沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335nsN沟道FREDFET 1200V ， 26A ， 0.65ヘ最大， TRR ÷ 335ns N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335nsPLUS N-CH 1200V 26A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.20 kV 1.20 kV -
额定电流 26.0 A 26.0 A -
漏源极电阻 - 480 mΩ -
耗散功率 1135W (Tc) 1.135 kW 960000 mW
阈值电压 - 4 V 6.5 V
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V
漏源击穿电压 - 1200 V -
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26.0 A 26A
上升时间 - 31 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 9670pF @25V(Vds) 9670pF @25V(Vds) 16000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1135 W -
下降时间 - 48 ns 58 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1135W (Tc) 1135W (Tc) 960W (Tc)
极性 N-CH - N-CH
通道数 - - 1
长度 - 26.49 mm -
宽度 - 20.5 mm 5.21 mm
高度 - 5.21 mm -
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99