JAN1N746A-1和1N746A-1E3/TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N746A-1 1N746A-1E3/TR 1N746A

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDiode Zener Single 3.3V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RZd 3.3V 0.5W(1/2W) ; Rohs Compliant: Yes

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 齐纳二极管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1 V - -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 20 mA 20 mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台