对比图
型号 IRF630NPBF IRF640NPBF
描述 INFINEON IRF630NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRF640NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 82 W 150 W
通道数 - 1
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.3 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 82 W 150 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 575 pF 1160 pF
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.3A 18A
上升时间 14 ns 19 ns
热阻 1.83℃/W (RθJC) 1℃/W (RθJC)
输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 82 W 150 W
下降时间 15 ns 5.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 82W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
产品系列 - -
长度 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.4 mm 4.4 mm
高度 15.65 mm 8.77 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - -
ECCN代码 - -