PUMZ1,115和UMX1NTN

对比图

型号 PUMZ1,115 UMX1NTN BZT52H-C5V1,115

描述 NXP  PUMZ1,115  单晶体管 双极, NPN, PNP, 40 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 120 hFEROHM  UMX1NTN  双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363NXP  BZT52H-C5V1,115  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 2

封装 TSSOP-6 SC-70-6 SOD-123F

容差 - - ±5 %

针脚数 6 6 2

正向电压 - - 900mV @10mA

耗散功率 200 mW 150 mW 375 mW

测试电流 - - 5 mA

稳压值 - - 5.1 V

正向电压(Max) - - 900mV @10mA

额定功率(Max) 300 mW 150 mW 375 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 150 mW 830 mW

频率 100 MHz 180 MHz -

极性 NPN, PNP NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 50 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.15A -

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V -

最大电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 560 -

直流电流增益(hFE) 120 120 -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 150 mA -

额定功率 - 0.15 W -

增益频宽积 - 180 MHz -

集电极击穿电压 - 60.0 V -

长度 - 2 mm 2.7 mm

宽度 - 1.25 mm 1.7 mm

高度 - 0.9 mm 1.2 mm

封装 TSSOP-6 SC-70-6 SOD-123F

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

温度系数 - - -0.75 mV/K

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -