对比图
型号 BSC080N03LSGATMA1 BSC0909NSATMA1 FDMS7692A
描述 INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 34 V, 0.0077 ohm, 10 V, 2 VN沟道MOSFET的PowerTrench 30 V ， 8毫欧 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 Power-56-8
额定功率 35 W 27 W -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0067 Ω 0.0077 Ω 0.0068 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 35 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2.2 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 30 V 34 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 14A 12A 13.5A
上升时间 2.8 ns 4.4 ns 2.7 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds)
下降时间 2.6 ns 5.4 ns 2.3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 30 V - 30 V
额定功率(Max) - - 2.5 W
长度 5.9 mm 5.9 mm 6 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5 mm
高度 1.27 mm 1.27 mm 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15