IXGH32N60AU1和STGW30NC60WD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH32N60AU1 STGW30NC60WD IXGH36N60A3D4

描述 IGBT 600V 60A 200W TO247ADSTMICROELECTRONICS  STGW30NC60WD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 60.0 A 60.0 A -

额定功率 - 200 W -

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 200 W 220000 mW

输入电容 - 2080 pF -

上升时间 - 12.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 - 50 ℃/W -

反向恢复时间 50 ns 40 ns 3 ns

额定功率(Max) 200 W 200 W 220 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200 W 220000 mW

长度 - 15.75 mm 16.26 mm

宽度 - 5.15 mm 5.3 mm

高度 - 20.15 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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