IDT71T75602S200BG和IDT71T75602S200BGG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71T75602S200BG IDT71T75602S200BGG 71T75602S166BG

描述 512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined OutputsZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119IC SRAM 18Mbit 166MHz 119BGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 BGA-119 BGA PBGA-119

引脚数 - - 119

电源电压 2.375V ~ 2.625V - 2.375V ~ 2.625V

存取时间 - - 3.5 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 2.625 V

电源电压(Min) - - 2.375 V

封装 BGA-119 BGA PBGA-119

长度 - - 14 mm

宽度 - - 22 mm

高度 - - 2.15 mm

厚度 - - 2.15 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991 3A991 -

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